三星首次分享7nmEUV工艺细节，预计明年量产

本周在火奴鲁鲁举行的VLSI（超大规模集成电路）研讨会上，三星首次分享了基于EUV技术的7nm工艺细节。EUV在半导体领域的应用已经研发了将近30年之久，终于在2018年看到曙光，三星称风险试产年底启动。考虑到风险试产到最终量产大约要维持1年的时间，所以年底和明年初的Exynos和骁龙芯片将暂时无缘7nm EUV。

三星此前已经透露，和高通在合作10nm的改良版8nm，传言首发会是骁龙730。

关于三星的7nm EUV（极紫外光刻），就是使用波长13.5nm的紫外线（波长范围是10——400nm）取代现在的193nm ArF（氟化氩）浸没式光刻，从而使得晶体管更加精密。

ArF光刻机ASML（阿斯麦）和尼康都可以造，但是功率250W的EUV光刻机，全球就只有ASML（阿斯麦）提供的NXE-3400。技术指标方面，三星7nm EUV的栅极间距是54nm，鳍片间距是27nm，前者居然只是Intel 10nm的水平。

比较目前10nm LPP的骁龙845、Exynos 9810，三星7nm EUV的芯片面积将缩小40%。不过三星称，新工艺晶体管的性能将比去年首秀时最多提升20%，功耗最多下降50%。

另外7nm EUV的好处还在于，比多重曝光的步骤要少，也就是相同时间内的产量将提升。当然，这里说的是最理想的情况， 比如更好的EUV薄膜以减少光罩的污染、自修正机制过关堪用等。三星称，7nm EUV若最终成行，将被证明是成本更优的方案。

如今，三星已经生产出基于7nm EUV的SRAM测试芯片，容量256Mb，大小0.0262平方微米。三星还透露，基于7nm的四核CPU、6核GPU都可以功能化运行了。由于台积电号称已经投产第一代7nm CLN7FF，性能提升30%，功耗降低60%。不过，EUV需要等到CLN7FF+时导入，所以理论上苹果A12无缘。

GF的7nm LP指标是栅极间距56nm，鳍片间距30nm，性能提升40%，功耗降低55%，预计将用在AMD Zen2处理器上。