美光与SanDisk同时推出首款1TB闪存卡，预计第2季上市销售

美国存储器领导厂美光25日在世界移动大会（MWC）发表全球首款超大容量microSD闪存卡——Micron c200系列 1TB microSDXC UHS-I。该产品为高性能的可抽取式储存解决方案，提供高达 1TB1的储存容量，消费者可用此闪存卡，在手机或其他电子装置上储存4K影片、照片与游戏。预计第2季上市销售。

技术的演变让闪存密度越来越大，随着世界上首款1TB microSD卡的发布，继续增加存储容量进程看上去不可阻挡。 西部数据公司的SanDisk品牌也推出了这种UHS-I microSDXC高密度存储卡产品。

此款闪存卡为业界首款采用美光先进96层四阶储存单元（QLC）3D NAND 技术的 microSD 闪存卡，每秒读取速度高达 100 MB，每秒写入速度3可达 95 MB，符合UHS-I 速度等级 3 (U3)与影片速度等级 30 (V30)的标准。

“美光是3D NAND闪存技术的领导者，能达到如此高的容量得益于使用了96层3D QLC闪存技术”，美光嵌入式业务部门NAND解决方案高级总监Aravind Ramamoorthy说，“这款全新的c200 1TB microSD卡能让消费者在手机的使用过程中能更自由的拍摄、分享、存储和享用更多的多媒体内容。”

这张microSD卡不仅在存储容量上十分出众，在其他规格上也非常优秀。该卡支持A2 App Performance规格，能够增强Android手机用户在卡上安装App及游戏的体验。同时支持Video Speed Class 30规格，满足4K HDR视频的录制回放，有一定突发读写性能。在传输速度上也达到了USH-I Class 3级别，即100MB/s的读取速度和95MB/s的写入速度。

这对于任何关注大容量又支持记忆卡扩展的手机例如1TB Galaxy S10 Plus的人来说是个有趣的消息，“如果那样，容量就会瞬间增加一倍？”

SanDisk的新款大容量microSD卡拥有高达160MB/s的读取速度和100MB/s的写速度。 然而，Micron卡的最大读取速度则为100MB/s，但写入性能却稍微高一点。

Forward Insights总裁Gregory Wong表示，3D QLC NAND技术时代来临，将带动市场对高容量消费性储存装置的需求增长。且指出，美光推出的新闪存卡为可抽取式储存装置市场划下重要里程碑，将有助于加速移动装置和游戏装置转换成高容量储存装置。

美光嵌入式产品事业部 NAND 解决方案资深总监 Aravind Ramamoorthy 则表示，通过研发 CuA (CMOS under the Array) 架构和 96 层 QLC技术，公司站稳 3D NAND领域领导地位，全新的c200 系列 1TB microSD 闪存卡将满足消费者对移动装置黏着度高的生活方式，辅助用户自由撷取、分享、储存和享受更多内容。

除了闪存产品，美光在DRAM技术也持续推进，此前也宣布在台湾建立DRAM卓越中心，该公司台湾区副总裁徐国晋此前在一场媒体餐叙上透露，去年在台湾导入1x纳米制程后，预定下半年还将导入1y纳米制程量产，同时并进行1z制程试产，希望明年导入量产。

SanDisk将于4月上市这种记忆卡，售价为449.99美元，考虑到同一系列的新512GB卡售价为199.99美元，因此光从单位价格来看不能算非常划算。 而美光1TB记忆卡的定价尚未公布，但它将在今年第二季度上市。