超软IGBT续流二极管：具备行业领先的低损耗特性

英飞凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出专为现代IGBT应用而设计的新型二极管系列：英飞凌Prime Soft。该二极管具备改进的关断能力，关断速度可达5 kA/µs。Prime Soft以广受好评的基于单硅芯片设计的IGCT续流二极管系列为基础。该二极管的典型应用为使用电压源变换器的HVDC/FACT和中压驱动设备，这些应用的特点是对功率损耗的要求很高。

采用新型Prime Soft二极管的客户将受益于行业领先的低导通损耗。这是通过单硅芯片设计实现的，与多芯片二极管相比，其有效硅芯片面积增加了25％以上。这种新型设计将最高结温达140°C下开关功率提高到6-10 MW。与硅和钼载体之间没有牢固金属镕接的自由浮动压接封装相比，这种新型熔接器件的热阻降低了大约20％。

除了高可靠性和良好的热性能外，英飞凌Prime Soft二极管具备最小的开关损耗。它的软反向恢复性能在所有相关工况下均无不当振荡。除了电气参数之外，新的机械概念通过串联叠压组件式IGBT和续流二极管来简化堆叠压组件结构。这种叠压组件设计使组装所需的时间缩短了大约50%。

压装式超软IGBT续流二极管具备4.5 kV阻断电压。该二极管有三种不同的封装直径：D1600U45X122、D2700U45X122和D4600U45X172。 英飞凌 Prime Soft二极管的单硅芯片设计使得有效硅芯片面积增加，相比多芯片二极管而言增加了25%以上。这种新型设计将140°C最高结温下开关功率提高到6-10 MW。